一、电力电子器件的分类有几种分法?
【1】按能被控制电路信号控制的程度可以分为: 半控型器件:就是通过控制信号可以控制其导通担不可控制其关断的电力电子器件 例如晶闸管 全控型器件:就是通过控制信号既可以控制器导通又可以控制器关断的器件例如 IGBT MOSFET GTO 不可控器件:就是不需要控制信号的器件例如 电力二极管 【2】按加在电力电子器件控制端和公共端间信号的性质可以分为: 电流驱动型 例如晶闸管 电压驱动型 【3】按电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可以分为: 单极型器件:只有一种载流子参与导电 双极型器件:有电子和空穴两种载流子参与导电 复合型器件:由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件
二、电子器件和电力电子器件的区别?
区别如下:
第一,名称不一样,分别叫电子器件和电力电子器件,
第二,类型不一样,电子器件主要是指微观的微电子等电子元器件,电力电子器件偏向宏观,指各种用电器和电路设备中比较大一点的电子元器件。
三、SCR在电力电子器件分类中属于什么类别?
可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。
它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点,被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。
四、电力电子器件的优缺点?
电力二极管:结构和原理简单,工作可靠;
晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中最高
IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小;缺点:开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO
GTR:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低;缺点:开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题
GTO:电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强;缺点:电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低
MOSFET:开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题;缺点:电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
制约因素:耐压,电流容量,开关的速度。
五、电力电子器件如何分组?
(一)按能被控制电路信号控制的程度可以分为:
1.半控型器件:就是通过控制信号可以控制其导通担不可控制其关断的电力电子器件 例如晶闸管
2.全控型器件:就是通过控制信号既可以控制器导通又可以控制器关断的器件
3.不可控器件:就是不需要控制信号的器件例如 电力二极管
(二)按电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可以分为:
1.单极型器件:只有一种载流子参与导电
2.双极型器件:有电子和空穴两种载流子参与导电
3.复合型器件:由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件
(三)按加在电力电子器件控制端和公共端间信号的性质可以分为:
1.电流驱动型 例如晶闸管
2.电压驱动型
六、电力电子器件实际上是一种什么?电力电子器件?
电力电子器件(Power Electronic Device)又称为功率半导体器件,主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)。
1、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类:半控型器件,例如晶闸管;全控型器件,例如GTO(门极可关断晶闸管)、GTR(电力晶体管),Power MOSFET(电力场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管);不可控器件,例如电力二极管。
2、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类:电压驱动型器件,例如IGBT、Power MOSFET、SITH(静电感应晶闸管);电流驱动型器件,例如晶闸管、GTO、GTR。
3、根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类:脉冲触发型,例如晶闸管、GTO;电子控制型,例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。
4、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类:双极型器件,例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR;单极型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管;复合型器件,例如MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT、SITH和IGCT。
特点:
电力二极管:结构和原理简单,工作可靠。
晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中最高。
IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小;缺点:开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO。
GTR:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低;缺点:开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题。
GTO:电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强。
电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低。
电力MOSFET:开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题;缺点:电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
制约因素:耐压,电流容量,开关的速度。
扩展资料
1、随着电力电子技术应用的不断发展,对电力电子器件性能指标和可靠性的要求也日益苛刻。具体而言,要求电力电子器件具有更大的电流密度、更高的工作温度、更强的散热能力、更高的工作电压、更低的通态压降、更快的开关时间,而对于航天和军事应用,还要求有更强的抗辐射能力和抗振动冲击能力。
特别是航天、航空、舰船、输变电、机车、装甲车辆等使用条件恶劣的应用领域,以上要求更为迫切。
2、未来几年中,尽管以硅为半导体材料的双极功率器件和场控功率器件已趋于成熟,但是各种新结构和新工艺的引入,仍可使其性能得到进一步提高和改善,Coolmos、各种改进型IGBT和IGCT均有相当的生命力和竞争力。
3、电力电子器件的智能化应用也在不断研究中取得了实质成果。一些国外制造企业已经开发出了相应的IPM智能化功率模块,结构简单、功能齐全、运行可靠性高,并具有自诊断和保护的功能。
4、新型高频器件碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)器件正在迅速发展,一些器件有望在不远的将来实现商品化,总部位于美国北卡罗来纳的CREE公司已经实现商用的SiC二极管和MOSFET。
但由于材料和制造工艺方面的问题,还需要大量的研究投入和时间才能逐步解决,北卡州立大学的FREEDM中心正在对此技术进行研究 。
参考资料来源:
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七、常用的电力电子器件有哪些?
(1)常用的电力电子器件有:SCR(普通晶闸管),双向SCR(双向晶闸管),GTR(高功率晶体管),MOSFET(功率场效应管),IGBT(绝缘栅门控双极型晶体管),GTO(可关断晶闸管),IGCT(换流关断晶闸管)等(第一章电力电子器件一般考试都会考到,属于重点内容,特别是英文字母要记住个器件英文对应的中文意思) (2)MOSFET的特点:是性能理想的中小容量的高速压控型器件,广泛应用于各种中小型的电子装置中。MOSFET的控制要求简单,其工作频率可以达到100Khz至数兆赫兹。 (3)IGBT的特点:IGBT是性能理想的中大容量的中高速压控型器件,广泛应用于各种中大型电力电子装置中。其开关频率通常可达到20Khz左右,在电流耐力方面,IGBT的额定工作电流在数十安至千安级。
八、现代电力电子器件课件
现代电力电子器件课件
现代电力电子技术是当今电力系统中至关重要的一部分。电力电子器件是在电力系统中进行能量转换和控制的核心元件。通过对现代电力电子器件课件的学习,我们能够深入了解电力电子器件的工作原理、特性和应用。
在这个现代电力电子器件课件中,我们将全面介绍以下几个主要的电力电子器件:
1. 变流器
变流器是一种将交流电转换为直流电或者将直流电转换为交流电的电力电子器件。它在可再生能源发电系统、电动车辆、交流电机驱动等领域有广泛的应用。变流器的工作原理是通过控制开关管的导通和截止状态来实现电压和电流的变换。在课件中,我们将详细讲解变流器的工作原理和不同拓扑结构的特点,以及变流器应用中需要注意的问题。
2. 逆变器
逆变器是一种将直流电转换为交流电的电力电子器件。它在太阳能发电系统、电网连接逆变器、家庭应急电源等领域起着重要的作用。逆变器的工作原理是通过控制开关管的开关时间和顺序,将直流电转换成特定频率和幅值的交流电。在课件中,我们将介绍逆变器的工作原理、拓扑结构和常见的控制策略。
3. 调制技术
调制技术在电力电子器件中起着关键作用,它决定了输出信号的特性和质量。调制技术根据不同的应用场景和需求,采用不同的调制方式,如脉宽调制(PWM)、脉跳宽度调制(PPWM)、正弦脉宽调制(SPWM)等。在课件中,我们将详细介绍不同调制技术的原理和特点,以及如何选择合适的调制方式。
4. 开关电源
开关电源是一种将交流电转换为直流电的电力电子器件。它在电子设备、通信系统、工业自动化等领域中广泛应用。开关电源的工作原理是通过开关管的开关控制,将输入交流电转换为稳定的直流电输出。在课件中,我们将介绍开关电源的工作原理、常见的拓扑结构和设计要点。
5. 故障保护与故障诊断
故障保护与故障诊断是电力电子器件设计中不可或缺的一部分。它们能够提高电力电子器件的安全性和可靠性。在课件中,我们将介绍常见的故障保护技术、故障诊断方法和故障保护电路的设计原则。
总结
通过学习现代电力电子器件课件,我们可以全面了解电力电子器件的工作原理、特性和应用。这对于深入理解电力系统、提高电力电子设计能力具有重要意义。无论是从事相关学科的学生,还是从事电力电子领域工作的专业人士,都可以通过这份课件系统地学习和掌握现代电力电子器件的知识。
九、mos管是电力电子器件吗?
MOS管是电子电路中常用的功率半导体器件,可以用作电子开关、可控整流等,是一种电压驱动型的器件。
MOS管的定义:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。其属于半导体主动元件中的分立器件,能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件,是电压器件。
十、全控型电力电子器件的优缺点?
电力二极管:结构和原理简单,工作可靠;
晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中最高
IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小;缺点:开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO
GTR:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低;缺点:开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题
GTO:电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强;缺点:电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低
MOSFET:开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题;缺点:电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
制约因素:耐压,电流容量,开关的速度。